作為第三代半導(dǎo)體的代表材料，碳化硅市場正在迅速發(fā)展。與硅材料相比，碳化硅襯底上的半導(dǎo)體器件具有功率大、耐壓高、耐高溫、頻率高、能耗低、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。可廣泛應(yīng)用于新能源汽車、5G通信、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天等現(xiàn)代工業(yè)領(lǐng)域。隨著下游行業(yè)對輕量級半導(dǎo)體速率器件、高轉(zhuǎn)換效率和低加熱特性的需求不斷增加，已成為電力器件中取代Si的必然發(fā)展趨勢。碳化硅市場的發(fā)展也有利于氣流粉碎機(jī)、氣流分級機(jī)的市場的穩(wěn)定發(fā)展。

2014年，全球碳化硅電力半導(dǎo)體市場僅為1.2億美元。隨著對混合動力汽車、電動汽車、電源設(shè)備和太陽能轉(zhuǎn)換器需求的增加，全球碳化硅電力半導(dǎo)體市場將從2017年的3.02億美元迅速增長到2023年的13.99億美元，年復(fù)合增長率為29%。到2020年，市場規(guī)模將達(dá)到35億元，40%的復(fù)合年增長率將繼續(xù)快速增長。

碳化硅的產(chǎn)業(yè)鏈可以分為三個(gè)產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)，一是上游襯底，二是中游外延片，三是下游器件制造。縱觀整個(gè)碳化硅產(chǎn)業(yè)，美，日，歐呈現(xiàn)三足鼎立的態(tài)勢，寡頭競爭明顯。20世紀(jì)80年代以來，為了保持航天，軍事和科技強(qiáng)國的地位，美，日，歐等發(fā)達(dá)國家始終把寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)放在極其重要的戰(zhàn)略地位，投入巨資實(shí)施了一批裝備系統(tǒng)能力這些國家和地區(qū)在碳化硅半導(dǎo)體領(lǐng)域一直走在世界前列。 SiC半導(dǎo)體器件的產(chǎn)業(yè)化主要以德國英飛凌，美國Cree公司，GE，日本Romani公司，豐田公司等為代表。

與美國、日本和歐洲相比，中國的碳化硅企業(yè)雖然在技術(shù)、生產(chǎn)能力等方面仍然缺乏，但目前中國的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)開始形成，在碳化硅產(chǎn)業(yè)化的基礎(chǔ)上，國內(nèi)企業(yè)有望在當(dāng)?shù)厥袌鰧?shí)現(xiàn)彎道趕超。

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